机译:金属-有机界面上偶极子层形成的第一性原理研究
机译:金属-有机界面处的势垒形成:偶极子形成和电荷中性水平
机译:有机/金属界面的第一原理理论研究:真空能级转换和界面偶极子
机译:第一性原理研究金属/硅界面偏析层的肖特基势垒变化的化学趋势
机译:通过金属有机气相外延生长的III-V族化合物半导体的表面和界面结构形成。
机译:Gd与单层MoS2之间的界面:第一性原理研究
机译:金属 - 有机界面处的电荷转移和偶极子形成
机译:通过金属有机化学气相沉积生长Inassb / InGaas应变层超晶格中界面的优化